[发明专利]太阳能电池表面钝化方法有效

专利信息
申请号: 201510104738.7 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN104681670A 公开(公告)日: 2015-06-03
发明(设计)人: 张勤杰;傅建奇;张燕;于满 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 陶金龙;张磊
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池表面钝化方法,通过对电池的N型面采用T-SiO2/SiNx叠层膜进行钝化,使N型面具有很好的钝化性能,并可利用SiNx的场效应钝化和化学钝化作用进一步提高N型面的钝化效果;并且,通过对电池的P型面采用T-SiO2/P-SiO2/SiNx叠层膜进行钝化,在T-SiO2很好的钝化性能基础上,再通过增加的P-SiO2,可利用SiNx的化学钝化作用进一步提高P型面的钝化效果,并可有效消除SiNx固定正电荷场效应对P型面的负面影响。本发明方法中的热氧化可以采用传统晶硅电池生产线的扩散炉进行,不需要增加新设备,适合规模化高效生产。
搜索关键词: 太阳能电池 表面 钝化 方法
【主权项】:
一种太阳能电池表面钝化方法,其特征在于,包括:步骤S01:提供一太阳能电池晶体硅衬底,在所述衬底的上、下表面分别形成N+层、P+层;步骤S02:在所述衬底的N型面、P型面采用双面热氧化法沉积第一SiO2薄膜;步骤S03:在所述衬底的P型面采用PECVD法沉积第二SiO2薄膜;步骤S04:在所述衬底的P型面采用PECVD法沉积SiNx薄膜;步骤S05:在所述衬底的N型面采用PECVD法沉积SiNx薄膜。
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