[发明专利]晶片处理装置以及晶片的处理方法有效
| 申请号： | 201510105224.3 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104916567B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 铃木稔 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片处理装置以及晶片的处理方法，能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。作为晶片处理装置的清洗装置(1)具有清洗干燥单元，该清洗干燥单元对保持晶片(W)的保持台(20)以及保持于保持台(20)上的晶片(W)的正面(WS)进行清洗并干燥。保持台(20)具有保持部件(21)和紫外线照射部(23)。保持部件(21)具有保持面(21a)且通过可透过紫外线(U)的材质形成，其中该保持面(21a)形成有多个吸附保持晶片(W)的背面(WR)的吸附孔(24)以保持整个背面(WR)。紫外线照射部(23)配设于保持部件(21)的保持面(21a)的相反侧。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片处理装置，其具有：保持台，其保持晶片的背面侧，且能够进行旋转；以及清洗干燥单元，其对保持于该保持台上的晶片的正面进行清洗并干燥，该保持台具有：保持部件，其由使紫外线透过的材质形成，且具有保持面，在该保持面上形成有吸附保持晶片的背面的吸附部，来保持整个背面；以及紫外线照射部，其配设于该保持部件的保持面的相反侧，所述紫外线照射部具有能够照射紫外线的多个LED，通过所述多个LED对晶片的整个背面在规定的时间内照射紫外线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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