[发明专利]制备布图设计的方法、光掩膜、半导体器件及其制造方法

摘要

提供了制备半导体器件的布图设计的方法、光掩模、利用该布图设计制造的半导体器件及其制造方法。制备半导体器件的布局设计的步骤可以包括将辅助图案设置在位于薄弱的有源图案上的主栅极图案附近。薄弱的有源图案可以是例如有源图案中的最外侧的有源图案，并且可以是预期在制造工艺期间宽度增大的有源图案。

主权项

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基板；器件隔离层，设置在基板中以限定设置成彼此相邻的第一有源区、第二有源区和第三有源区，第二有源区从第一有源区和第三有源区的最外侧边缘横向突出；以及栅电极，与第二有源区交叉，其中：栅电极包括与第二有源区交叉并且彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；第二有源区设置在第一有源区和第三有源区之间，并且包括彼此相对且分别与第一侧壁和第二侧壁相邻的第一端和第二端；第一侧壁和第二侧壁具有不同的宽度；第一端和第二端具有不同的宽度。