[发明专利]一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板有效
申请号: | 201510106454.1 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN104635419B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 白金超;刘耀;刘晓伟;丁向前;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;H01L21/77;G03F1/60;G02F1/13 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板,所述掩膜板包括基板,所述基板包括非透光区域、部分透光区域和透光区域,所述非透光区域上设置有非透光材料层,所述部分透光区域上设置有部分透光材料层,所述透光区域不设置遮光材料,所述透光区域设置在所述部分透光区域内,或者所述非透光区域设置在所述部分透光区域内。本发明提供的掩膜板能够实现栅极掩膜板与过孔掩膜板共用,从而减少了掩膜板的使用数量,降低了产品开发和生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 显示 面板 制备 方法 掩膜板 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板,其特征在于,包括基板,所述基板包括非透光区域、部分透光区域和透光区域,所述非透光区域上设置有非透光材料层,所述部分透光区域上设置有部分透光材料层,所述透光区域不设置遮光材料,所述透光区域设置在所述部分透光区域内,或者所述非透光区域设置在所述部分透光区域内;当所述透光区域设置在所述部分透光区域内时,所述透光区域和部分透光区域用于通过对负性光刻胶进行曝光显影后刻蚀形成栅线、栅极和公共电极线,所述透光区域还用于通过对正性光刻胶进行曝光显影后刻蚀形成第一过孔和第二过孔;或者当所述非透光区域设置在所述部分透光区域内时,所述非透光区域和部分透光区域用于通过对正性光刻胶进行曝光显影后刻蚀形成栅线、栅极和公共电极线,所述非透光区域还用于通过对负性光刻胶进行曝光显影后刻蚀形成第一过孔和第二过孔。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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