[发明专利]加工方法有效
| 申请号： | 201510106528.1 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN104916582B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 竹之内研二 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;金玲<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种加工方法，能够适当加工包含金属的被加工物的基于简单工序。加工方法利用具有磨削磨石(40b)或研磨垫的加工单元(32)来加工至少在被加工面(11a)上包含金属的被加工物(11)，该方法构成为包括加工步骤，在该加工步骤中，对被加工物的被加工面供给加工液(50)，并且通过加工单元对被加工物进行磨削或研磨，加工液含氧化剂和有机酸。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加工方法，利用包含安装有磨削磨石的主轴的加工单元，来加工至少在被加工面上包含可由于磨削而产生翘曲的金属的被加工物，该加工方法的特征在于，/n该加工方法具有加工步骤，在该加工步骤中，在被加工物的被加工面上供给加工液并且使该主轴和被加工物旋转，使该主轴以规定的进给速度下降并使该磨削磨石与被加工物的该被加工面的一部分接触，从而对被加工物进行磨削，/n该加工液含氧化剂和有机酸，通过将该金属改质而抑制延性，从而抑制该金属产生该翘曲并对被加工物进行磨削。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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