[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201510106545.5 | 申请日: | 2015-03-11 |
公开(公告)号: | CN104617049B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 白金超;郭杨辰;刘晓伟;刘耀;丁向前;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L23/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,用以改善屏幕发绿,减少公共电极的腐蚀。所述方法包括在钝化层上沉积透明导电层,通过构图工艺制作若干过孔;在完成上述步骤的衬底基板上沉积金属层,在金属层上涂覆光刻胶,使用掩膜板对光刻胶曝光、显影,形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区;光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域,光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区;对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀,形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线,金属线通过过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线连接。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层,其特征在于,所述方法还包括:在钝化层上沉积一层透明导电层,通过构图工艺制作若干过孔,所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线;在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层,在所述金属层上涂覆光刻胶,使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影,形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区;所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域,所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区;对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀,形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线,所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造