[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201510106561.4 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105280592A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 朴津佑;朴成秀;金培用 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。一种半导体器件包含：具有不平坦表面的芯片主体，该不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；贯通电极，该贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过芯片主体的不平坦表面露出的端部；设置在芯片主体的不平坦表面上的钝化层；以及设置在钝化层及贯通电极的露出的端部上并且与芯片主体的不平坦表面交叠的凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：芯片主体，所述芯片主体具有不平坦表面，所述不平坦表面包含彼此在不同的高度的至少两个区域；贯通电极，所述贯通电极贯穿芯片主体并且具有通过所述芯片主体的所述不平坦表面露出的端部；预定的钝化层，所述钝化层设置在所述芯片主体的所述不平坦表面上；以及凸块，所述凸块设置在所述钝化层以及所述贯通电极的露出的端部上，并且与所述芯片主体的所述不平坦表面交叠。
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