[发明专利]直接转换X射线辐射检测器、计算机断层成像系统和方法有效

专利信息
申请号: 201510107383.7 申请日: 2015-01-30
公开(公告)号: CN104814753B 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: T·埃尔格勒;E·戈德尔;B·克赖斯勒;M·莱因万德;C·施勒特 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: A61B6/03 分类号: A61B6/03
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 谢强
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于检测X射线辐射的直接转换的X射线辐射检测器(C3,C5),至少具有用于检测X射线辐射的半导体(1),该半导体具有相对于X射线辐射被遮蔽的区域和未被遮蔽的区域;安置在半导体上的像素化的电极和与像素化的电极相对地安置在半导体上的连续电极(4);和至少一个光源,该光源利用附加的光辐射辐照连续电极来生成附加的载流子,其中光源被构造为,利用附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域。本发明涉及一种CT系统(C1),具有直接转换的X射线辐射检测器,以及一种借助直接转换的X射线辐射检测器检测入射的X射线辐射的方法,其中利用附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域。
搜索关键词: 直接 转换 射线 辐射 检测器 计算机 断层 成像 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于在CT系统(C1)中使用的直接转换的X射线辐射检测器(C3,C5),其至少具有:1.1.用于检测X射线辐射的半导体(1),所述半导体具有相对于X射线辐射被遮蔽的区域和未被遮蔽的区域,1.2.安置在所述半导体(1)上的像素化的电极和与所述像素化的电极相对地安置在所述半导体(1)上的连续电极(4),和1.3.至少一个光源,所述光源以附加的光辐射辐照连续电极,以用于生成附加的载流子,其特征在于,1.4.所述至少一个光源被布置成,以附加的光辐射的、与未被遮蔽的区域不同的强度辐照被遮蔽的区域,1.5应用于被遮蔽的区域的光辐射的强度大于应用于未被遮蔽的区域的光辐射的强度。
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