[发明专利]湿法刻蚀设备

摘要

本发明提供了一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能，其包括刻蚀腔，其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀，在其前端具有刻蚀腔入口，在其后端具有刻蚀腔出口；喷淋管，设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方，该喷淋管可朝向上方喷射液体，以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶。本发明通过喷淋管对刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处进行喷淋，可有效去除在刻蚀腔入口、刻蚀腔出口处产生的大量刻蚀液结晶，提高设备稼动率，洁净度及产品质量，解决了TFT基板制作工艺中的一大难题。

主权项

一种湿法刻蚀设备，其特征在于，所述湿法刻蚀设备具有去除刻蚀腔外刻蚀液结晶的功能，其包括：刻蚀腔，其内部通过刻蚀液对基片上的待刻蚀薄膜进行刻蚀，在其前端具有刻蚀腔入口，在其后端具有刻蚀腔出口；喷淋管，设置于所述刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口的下方，该喷淋管可朝向上方喷射液体，以清洗在刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口处形成的刻蚀液结晶；相邻腔，连接于所述刻蚀腔的前端或后端；遮蔽门，为翻折类型的遮蔽门，通过一转轴安装于刻蚀腔入口或刻蚀腔出口，其在基片通过时打开，在其他时间关闭；其中，所述喷淋管设置于处于打开状态的遮蔽门的下方，以清洗在遮蔽门上形成的刻蚀液结晶，所述喷淋管向上喷射液体的高度与处于打开状态的遮蔽门平齐；其中，所述喷淋管喷射的液体为碱性溶液；所述湿法刻蚀设备还包括：供液管路，用于为所述喷淋管供给液体；阀门，设置于所述供液管路与所述喷淋管之间，用于调节供液管路内液体的压力，进而控制喷淋管喷射液体的高度；其中，在闭合状态下，所述遮蔽门与基片行进的方向垂直，相邻腔与刻蚀腔之间的刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口关闭；在打开状态下，所述遮蔽门朝向相邻腔的方向翻折90°，相邻腔与刻蚀腔之间的刻蚀腔入口和/或刻蚀腔出口打开。