[发明专利]厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体

摘要

本发明提供一种厚膜导体形成用组合物以及使用其获得的厚膜导体。该厚膜导体形成用组合物的耐焊料腐蚀性高并且不含铅，并且在制造芯片电阻器、电阻网络以及混合集成电路等时，该组合物为了在陶瓷基板等上形成厚膜导体而使用。本发明提供一种厚膜导体形成用组合物等，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO₂‑ZnO‑MgO‑Al₂O₃类玻璃粉末(A1)和Al₂O₃粉末(A2)。

主权项

1.一种厚膜导体形成用组合物，其包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)以及有机载体(C)，其特征在于，氧化物粉末(A)包含SiO2‑ZnO‑MgO‑Al2O3类玻璃粉末(A1)和Al2O3粉末(A2)，其中，玻璃粉末(A1)的组成比为SiO2：15～35质量％、ZnO：15～35质量％、MgO：5～25质量％、Al2O3：5～20质量％的范围，并且，相对于100质量份导电粉末(B)，氧化物粉末(A)的含量为：玻璃粉末(A1)为1.5～12质量份，Al2O3粉末(A2)为0.1～8质量份。