[发明专利]GaIn比例渐变的W型锑基半导体激光器

摘要

Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有InAs/GaInSb W型锑基半导体激光器很难实现室温发光，低温(73K)发光的输出功率也很小。本发明自下而上依次为GaSb衬底、GaSb缓冲层、P型GaSb接触层、P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱和N型InAs接触层，所述P型量子阱、本征量子阱、N型量子阱具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱夹GaInSb空穴量子阱的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。

主权项

一种Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器，自下而上依次为GaSb衬底(1)、GaSb缓冲层(2)、P型GaSb接触层(3)、P型量子阱(4)、本征量子阱(5)、N型量子阱(6)和N型InAs接触层(7)，所述P型量子阱(4)、本征量子阱(5)和N型量子阱(6)具有多周期结构，所述多周期结构中的每个单周期量子阱的结构为由双InAs电子量子阱(8)夹GaInSb空穴量子阱(9)的三明治结构，外层是一对AlSb合金限制层(10)；其特征在于，所述GaInSb空穴量子阱(9)由3～9层Ga1‑xInxSb层构成，x＝0.05～0.35，中间的Ga1‑xInxSb层的x的值最大，两边的Ga1‑xInxSb层自中间向两边呈1～4级分布，同级的两个Ga1‑xInxSb层的x的值相同，自中间向两边各级Ga1‑xInxSb层的x的值逐渐减小。