[发明专利]介电组合物和电子部件有效

专利信息
申请号: 201510111765.7 申请日: 2015-03-13
公开(公告)号: CN104952617B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 政冈雷太郎;兼子俊彦;山下由贵;内山弘基;武田早织;瀬在勇司;大槻史朗 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/33
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种介电组合物和使用了该介电组合物的电子部件,即使在将介电膜进一步薄膜化的情况下,所述介电组合物也具有高耐受电压和高相对介电常数。所述介电组合物其特征在于,所述介电组合物以A组和B组作为主成分,A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分,B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr,所述介电组合物包含:含有所述A组和所述B组的非晶体、和含有所述A组和所述B组的晶体,所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
搜索关键词: 介电组合物 电子部件 高相对介电常数 薄膜化 非晶体 高耐受 介电膜 摩尔比
【主权项】:
1.一种介电组合物,其特征在于:所述介电组合物以A组和B组作为主成分,A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分,B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr,所述介电组合物包含:含有所述A组和所述B组的非晶体;和含有所述A组和所述B组的晶体,所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
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