[发明专利]可操作的氮化镓器件有效
| 申请号： | 201510112595.4 | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104935314B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | G·德伯伊 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 描述了一种包括半导体主体的电源电路，半导体主体具有公共衬底和基于氮化镓(GaN)的衬底。基于GaN的衬底包括与公共衬底的前侧相邻的一个或多个GaN器件。公共衬底电耦合至电源电路的节点。电源电路的节点处于特定电位，特定电位等于或小于一个或多个GaN器件的一个或多个负载端处的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 电位 电源电路 半导体主体 氮化镓器件 多个负载 氮化镓 电耦合 可操作 | ||
【主权项】：
1.一种电源电路，包括：两个以上的输入端，每个输入端均直接耦合至源极，所述源极被配置用于为负载产生电能；两个以上的输出端，每个输出端均直接耦合至所述负载；半导体主体，所述半导体主体包括：公共衬底；以及基于氮化镓(GaN)的衬底，包括与所述公共衬底的正侧相邻的一个或多个氮化镓(GaN)器件，其中所述一个或多个GaN器件包括一个或多个负载端以及被配置为从一个或多个驱动器接收栅极控制信号的一个或多个栅极端子；以及节点，电耦合至所述公共衬底的背侧，其中所述节点连接至恒定电位，所述恒定电位等于或小于所述电源电路的所述两个以上的输出端处的最低电位。
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