[发明专利]一种太阳能电池发射极掺杂分布方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池发射极掺杂分布方法，包括预氧化、两次通源扩散和两次推结后降温出舟，通过多次通源和多次推结的过程实现太阳电池发射极掺杂分布，调节多次扩散的时间、温度、通源量和多次推结的时间和温度，使太阳能电池发射极具有较低的表面掺杂浓度，因而“死层”的影响明显减弱，提高了电池的短波响应；多次通源和多次推结的过程还提高了硅片体内掺杂浓度，使得硅片表面及体内掺杂浓度分布均匀，扩散均匀性较好，从而提高扩散方阻均匀性；多次推结的过程提高了结深深度，增加电池蓝光响应，最终达到提高晶硅电池转换效率的目的。

主权项

一种太阳能电池发射极掺杂分布方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）预氧化：将扩散炉温度升温至770~820℃，向扩散炉中通入大氮和氧气，对硅片表面进行预氧化，氧化时间为5~10min；其中，氧气占通入气体体积总量的5%~18%；（2）第一次通源扩散：保持扩散炉温度770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮、氧气以及小氮，对硅片进行第一次通源扩散，扩散时间为10~15min；其中，小氮占通入气体体积总量的10%~25%；（3）第一次推结：将扩散炉温度升温至840~860℃，向扩散炉中持续通入大氮，对硅片进行第一次推结，推结时间为10min~20min；（4）第二次通源扩散：将扩散炉温度降至770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮、氧气和小氮，对硅片进行第二次通源扩散，扩散时间为10~20min，小氮占通入气体体积总量的10%~20%；（5）第二次推结：保持扩散炉温度770~820℃，向扩散炉中持续通入大氮，对硅片进行第二次推结，推结时间为5~10min；（6）降温出舟：将扩散炉温度降至750~770℃，继续向扩散炉中持续通入大氮，然后石英舟出扩散炉，取出硅片。