[发明专利]一种大面积制作纳米图形的方法有效
| 申请号： | 201510114412.2 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104637790A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 许南发;郭明灿;周雅慧;郭文平 | 申请（专利权）人： | 山东元旭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261031 山东省潍坊市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种大面积制作纳米图形的方法包括以下步骤：取一模板;制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。采用本发明的方法，可以实现大面积、低成本和工业化的纳米图形制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 制作 纳米 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积制作纳米图形的方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：取一模板;S20：制作掩膜层：在模板上生长一层保护的掩膜层，掩膜层包括SiO2或SiNx;S30：制作纳米图形层：利用电子束蒸发或离子束蒸发，在设有一层掩膜层的模板上镀上一层Ag、Ni或ITO纳米图形层;S40：制作纳米掩膜层：利用纳米图形层保护对掩膜层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，在掩膜层上制得纳米掩膜图形;S50：制作纳米图形：利用纳米图形层和纳米掩膜层保护对模板进行干法或湿法刻蚀，在模板上制作纳米图形;S60：清洗：除去多余的纳米图形层和纳米掩膜层，得到表面具有纳米图形结构和纳米结构图层的模板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东元旭光电有限公司，未经山东元旭光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510114412.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：SDN中数据流转发方法及装置
- 下一篇：一种质谱仪反吹气结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
