[发明专利]一种TSV多层芯片键合方法

摘要

本发明一种TSV多层芯片键合方法包括，一，将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；二，然后对其进行背面减薄，露出硅通孔，形成背面键合凸点；三，再对该键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；四，对具备正面键合凸点的第二晶圆进行划片形成第二芯片；五，将第一芯片与第二芯片进行凸点键合，去除支撑片形成二层键合体；六，将重复1-3形成的芯片依次按步骤5进行凸点键合，实现多层芯片的依次键合叠加，得到TSV多层芯片。或将重复1-3形成的多个芯片，两两分别进行凸点键合后形成两侧均有支撑片的双层键合体；将芯片和/或去除了一侧支撑片的双层键合体，键合后得到TSV多层芯片。

主权项

一种TSV多层芯片键合方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，通过临时键合胶将具备TSV及正面图形的第一晶圆的正面与支撑片进行临时键合，形成第一晶圆键合体；步骤2，对第一晶圆键合体进行背面减薄，露出硅通孔，并完成背面工艺，形成背面键合凸点；步骤3，对形成有背面键合凸点的第一晶圆键合体划片，正面保留支撑片，形成第一芯片；步骤4，具备正面键合凸点的第二晶圆进行划片形成第二芯片；步骤5，将第一芯片背面与第二芯片正面进行凸点键合，去除第一芯片上的支撑片，形成二层键合体；步骤6，将重复步骤1‑3形成的芯片依次按步骤5进行凸点键合，实现多层芯片的依次键合叠加，去除支撑片后，得到TSV多层芯片。