[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201510115608.3 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104934307B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 小林健司;奥谷学 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 宋晓宝,向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够在药液供给工序中确实地避免药液降落到加热板的上表面，由此，防止因在加热板上干燥药液引起的颗粒的产生。基板处理方法在基板处理装置中执行，该基板处理装置具有用于保持基板的基板保持单元和用于对基板从下方进行加热的加热板，包括处理液供给工序，在所述加热板配置在从所述基板保持单元向下方退避的退避位置的状态下，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液；保护液液膜形成工序，与所述处理液供给工序并行地在所述加热板的上表面形成覆盖该上表面的保护液的液膜；基板加热工序，一边使所述加热板与所述基板的下表面接近或接触，一边通过该加热板对所述基板进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，在基板处理装置中执行，该基板处理装置具有用于保持基板的基板保持单元和用于对所述基板从下方进行加热的加热板，其特征在于，包括：处理液供给工序，在所述加热板配置在从所述基板保持单元向下方退避的退避位置的状态下，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液；保护液液膜形成工序，与所述处理液供给工序并行地在所述加热板的上表面形成覆盖该上表面的保护液的液膜；基板加热工序，一边使所述加热板与所述基板的下表面接近或接触，一边通过该加热板对所述基板进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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