[发明专利]太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201510116774.5 申请日: 2015-03-17
公开(公告)号: CN104934486B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 郑寅道;沈承焕;郑一炯;南正范 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0747;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开的是一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板;导电型区域,该导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域;电极,该电极包括第一电极和第二电极,其中,所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域;以及钝化层,该钝化层形成在所述导电型区域上。所述钝化层包括氮化硅和碳化硅中的至少一种。
搜索关键词: 导电型区域 太阳能电池 钝化层 第一导电型区域 半导体基板 第二电极 第一电极 电极 氮化硅 碳化硅
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:半导体基板;导电型区域,所述导电型区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电型区域和第二导电型区域;电极,所述电极包括第一电极和第二电极,其中,所述第一电极连接至所述第一导电型区域并且所述第二电极连接至所述第二导电型区域;以及钝化层,所述钝化层形成在所述导电型区域上,其中,所述钝化层包括:第一层,所述第一层形成在所述导电型区域上并且包括氮化硅;第二层,所述第二层形成在所述第一层上并且包括碳化硅;以及绝缘层,所述绝缘层形成在与所述半导体基板的所述一个表面不同的另一个表面上,其中,所述绝缘层包括氮化硅并且具有比所述钝化层的折射率更小的折射率,其中,所述第二层具有非晶结构,并且所述第二层是疏水的,其中,所述第一层的折射率大于所述第二层的折射率,其中,所述第一层的厚度大于所述第二层的厚度,其中,所述电极包括:粘合层,所述粘合层接触所述导电型区域并且是导电的;以及电极层,所述电极层形成在所述粘合层上,其中,所述粘合层具有所述第一导电型区域和所述第二导电型区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数,其中,所述钝化层包括与所述电极相对应的开口,并且所述电极形成在所述开口的底面上、形成在所述钝化层的与所述开口相邻的侧表面上、并且形成在与所述开口相邻的所述钝化层上,其中,所述粘合层接触所述开口的底面、接触所述钝化层的与所述开口相邻的所述侧表面、并且接触与所述开口相邻的所述钝化层,并且其中,在所述第一电极的所述电极层的侧表面处形成有底切。
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