[发明专利]一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜的方法有效
| 申请号： | 201510118617.8 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104716263B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王镜喆;徐春花;刘玉亮;柳勇;吴文斌;敖宁;赵旭;徐申生;张柯柯;熊进辉 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜的方法，涉及钙钛矿太阳能电池的光电转换材料的制备技术领域，首先将CH3NH3I与PbCl2按31摩尔比分别称重，然后将CH3NH3I与PbCl2组成的混合物用溶剂溶解，制成10‑50wt%的悬浮液；再将该悬浮液涂覆在衬底基板上形成涂覆层，然后蒸发溶剂使涂覆层内的CH3NH3PbI3‑xClx沿着涂覆层的某个特定方向先后结晶析出，从而形成CH3NH3PbI3‑xClx中x值在薄膜不同位置呈梯度分布的CH3NH3PbI3‑xClx薄膜。本发明制得的混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜内，x值可在0.22‑1.11区间变化，从而可控制CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜的能带间隙在1.51‑3.11eV区间内变化，使梯度膜能有效地对不同波长的太阳光进行光电转换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 混合 卤化物 钙钛矿 ch3nh3pbi3 xclx 梯度 方法 | ||
【主权项】：
一种制备混合卤化物钙钛矿CH3NH3PbI3‑xClx梯度膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）、将CH3NH3I与PbCl2按3:1摩尔比分别称重，然后将CH3NH3I与PbCl2组成的混合物用溶剂溶解，制成10‑50wt%的悬浮液；（2）、将步骤（1）的悬浮液涂覆在衬底基板上形成涂覆层，然后蒸发溶剂使涂覆层内的CH3NH3PbI3‑xClx沿着涂覆层的某个特定方向先后结晶析出，从而形成CH3NH3PbI3‑xClx中x值在薄膜不同位置呈梯度分布的CH3NH3PbI3‑xClx薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南科技大学，未经河南科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510118617.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机EL组件及其制造方法
- 下一篇：纳米片超薄膜作为中间层的有机太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
