[发明专利]一种薄膜晶体管的源漏电极及制备方法、薄膜晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201510119566.0 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104766891B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;朱峰;兰林锋;彭俊彪;王磊 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/44 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的源漏电极，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述钼层和钼层的晶格生长方向垂直；所述钼层的厚度为20～40nm；所述铜层的厚度为150～250nm。本发明还公开了上述源漏电极的制备方法及包含上述源漏电极的薄膜晶体管及其制备方法。本发明克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点，还可以实现两层电极之间的应力平衡，使得电极剥离率降低，结合强度得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 漏电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的源漏电极，其特征在于，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述铜层和钼层的晶格生长方向相互垂直。
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