[发明专利]一种LDO电路

摘要

本发明提供了一种LDO电路，以解决目前的LDO电路的瞬态响应速度慢的问题。LDO电路包括LDO核心电路；LDO核心电路包括：NMOS管MN1、MN2、MN4，PMOS管MP0、MP2、MP3，NMOS功率管MN0、电阻R0，电容C0和C1；其中，MP0漏端与MN1漏端相连，MP0源端与MN0源端和C1相连，MN1源端与MN2源端均与地相连，MN2漏端与MN0栅端相连，MP3源端与电源电压相连，MP3漏端与MN4漏端相连，MP2源端与MN0漏端均与电源电压相连，MP2漏端与MN0栅端和C0相连，MP2栅端与C1相连，C0和R0串联。本发明增强了LDO电路的瞬态特性，减小了输出电压的波动。

主权项

一种LDO电路，其特征在于，包括：LDO核心电路；LDO核心电路包括：第一电流NMOS管、第二电流NMOS管、第四电流NMOS管、第零电压平移PMOS管、第二电流PMOS管、第三电流PMOS管、NMOS功率管、第零电阻、第零电容和第一电容；其中，第零电压平移PMOS管的漏端与第一电流NMOS管的漏端相连，第零电压平移PMOS管的源端与NMOS功率管的源端和第一电容相连，第一电流NMOS管的源端与第二电流NMOS管的源端均与地相连，第二电流NMOS管的漏端与NMOS功率管的栅端相连，第三电流PMOS管的源端与电源电压相连，第三电流PMOS管的漏端与第四电流NMOS管的漏端相连，第二电流PMOS管的源端与NMOS功率管的漏端均与电源电压相连，第二电流PMOS管的漏端与NMOS功率管的栅端和第零电容相连，第二电流PMOS管的栅端与第一电容相连，第零电容和第零电阻串联。