[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510121149.X 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN104934404B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 田口康祐 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/49;H01L23/488;H01L21/50
代理公司: 72001 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李啸;姜甜<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供与衬底的接合牢固并且可靠性高的半导体装置。外部引线(5)经由内部引线与内部引线吊线(3)电连接,从而在外部引线切断面(11)也形成镀层被膜,使得容易在从密封树脂(10)延伸出的外部引线整个表面形成焊锡层。另外,在内部引线吊线(3)设有第1收缩部(12a),能够抑制切断内部引线吊线时的损伤。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:/n半导体芯片,承载于岛部上;/n密封树脂,具有覆盖所述半导体芯片的多个侧面;/n外部引线,从所述密封树脂的第一侧面延伸出;/n内部引线,与所述外部引线连接;/n内部引线吊线,与所述内部引线连接,并从所述密封树脂的与所述第一侧面不同的第二侧面露出第一截面;/n岛部吊线,与所述岛部连接,从所述密封树脂露出第二截面;以及/n镀层被膜,设置在所述外部引线整个表面,/n所述内部引线吊线具有比所述内部引线吊线的其它部分相比截面积小且俯视下与所述密封树脂的外形重叠的第1收缩部,在所述密封树脂内具有第2收缩部,/n在所述第一截面和所述第二截面不设置镀层被膜。/n
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