[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容‑电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容‑电压特性曲线的缺陷。

主权项

一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其特征在于，步骤1、分别获取待测金属氧化物半导体场效应晶体管栅极的两个不同输入电压信号频率为f1和f2所对应的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容‑电压特性曲线和电容‑电压特性测试数据；步骤2、对步骤1获得的待测金属氧化物半导体场效应晶体管的电容‑电压特性曲线和电容‑电压特性测试数据进行修正，得到修正后的实际电容‑电压数据离散点，并据此绘制成修正后的电容‑电压特性曲线；所述修正方法是以式1为修正模型，对电容‑电压特性测试数据中的电容进行修正，所述修正模型为：其中C为金属氧化物半导体场效应晶体管实际电容，f1和f2分别为两次测试时所加电压信号的频率，Cm1是输入电压信号的频率为f1时所测得的电容，Cm2是输入电压信号的频率为f2所测得的电容。