[发明专利]一种多层结构型分子筛膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510121411.0 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN104926372B 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 刘旭光;刘勇;王壮瑞;张宝泉 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: C04B41/89 分类号: C04B41/89
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种多层结构型分子筛膜的制备方法——周期性二次生长法。它包括如下步骤:第一步,动态润湿法制备晶种层;第二步,周期性二次生长法制备分子筛膜;第三步,分子筛膜活化。周期性二次生长是指对分子筛膜晶化过程的温度进行程序控制,其中,程序升温、恒温晶化、程序降温冷却,称之为一个晶化周期,晶化过程可以包含多个晶化周期。本发明与传统的二次生长法相比较,利用周期性晶化的方式能形成的多层结构型分子筛膜。这种分子筛膜的优点是无针孔缺陷,具有很好的致密性。本方法过程简单、高效,具有很好的可重复性和很高的成功率,适于工业化放大应用。
搜索关键词: 一种 多层 结构 分子筛 制备 方法
【主权项】:
1.一种多层结构型分子筛膜的制备方法,其特征在于改进了二次生长法的晶化过程,采用周期性晶化,简称周期性二次生长法,它包括如下步骤:第一步,动态润湿法制备晶种层:首先,采用乙醇作为分散液配制晶种悬浮液;其次,在载体上涂覆晶种;然后,将晶种层干燥,焙烧;第二步,周期性二次生长法制备分子筛膜:将第一步涂覆晶种的氧化铝载体进行二次生长,将载体水平放置,涂覆晶种的载体晶种层向下与合成母液接触,并在100 ~ 200℃下晶化生长;其中,晶化过程的温度通过程序控制,即以一定的升温速率升温至100 ~ 200℃,恒温晶化24‑96 小时,进行二次生长后,再以一定的降温速率降温至30℃,冷却2 小时;程序升温、恒温晶化、程序降温冷却,称之为一个周期;经过2 个或多个周期的晶化生长后,将氧化铝载体从母液中分离、用去离子水洗至中性,干燥,即得多层结构型分子筛膜;第二步中,周期性二次生长制备分子筛膜的过程中无需更换合成母液;第三步,分子筛膜活化:将第二步制得的分子筛膜通过催化加氢裂化活化。
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