[发明专利]一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法

摘要

本发明涉及纳米材料与微结构技术领域，公开了一种基于均匀的化学镀镍硅微通道衬底结构上生长均匀纳米结构材料的方法，其步骤包括：通过激光切割出所需形状的从硅衬底剥离的硅微通道，用化学镀镍的方法在微通道表面均匀生长一层镍导电层；调整沉积镍的时间使得所得到的镀镍硅微通道的电阻低于两欧姆；然后在镀镍微通道表面通过水热法生长一层纳米结构，这层纳米结构是由CoMoO4这种复合金属氧化物构成的，本发明利用水热法在微米孔径的镀镍硅微通道表面和内部生长纳米结构，提高了结构的均匀性与稳定性，避免了物理方法输运材料到微通道内部造成的微通道的严重堵塞，同时自身具有良好的电化学活性，有望应用于新能源领域。

主权项

一种基于p型硅微通道表面均匀纳米修饰的方法，其特征在于：其步骤为：(1)化学镀镍：用激光切割的方式将做好的硅微通道板切割成所需要的大小、形状；将切割好的硅微通道用物理及化学方法清洗，放入配置好的镀镍溶液中，在90℃水浴环境下进行化学镀镍；(2)电化学镀镍：为了提高表面镍层的厚度，提高样品的导电性，需要在化学镀镍之后的样品表面用电化学的方法沉积一层100nm厚度的镍层；(3)生长纳米结构：将处理过的硅微通道放入配置好的反应溶液使用水热法生长花瓣状材料，这种高温高压的环境沉积CoMoO4纳米结构展现出良好的均匀性和一致性。