[发明专利]一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺

摘要

本发明涉及一种高PID抗性的高效多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺，包括在单晶硅片衬底正面依次沉积的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层；所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65～120nm，折射率为1.9～2.25；所述的中间层SiNx层的膜厚为10～50nm，折射率为2.2～2.4；所述的顶层SiNx层的膜厚为30～80nm，折射率为1.9～2.2；所述的顶层SiNx层为单层或多层。采用本发明这种钝化减反射膜能够降低反射率，提高钝化效果，从而提高太阳电池效率，且具有非常优良的抗PID衰减特性。

主权项

一种高PID抗性多晶电池的钝化减反射膜，其特征在于：包括在多晶硅片衬底正面依次沉积的采用高压电离或紫外电离氧气在刻蚀后多晶硅片表面生成的底层SiOx层、采用PECVD法将N2O、CO2、O2或其他含氧气体与SiH4一起在扩散面沉积的中间层SiOx层、采用PECVD设备在扩散面形成的中间层SiNx层以及采用PECVD设备在扩散面形成的顶层SiNx层；所述的底层SiOx层、中间层SiOx层、中间层SiNx层以及顶层SiNx层的总膜厚为65～120nm，折射率为1.9～2.25；所述的中间层SiNx层的膜厚为10～50nm，折射率为2.2～2.4；所述的顶层SiNx层的膜厚为30～80nm，折射率为1.9～2.2；所述的顶层SiNx层为单层或多层；所述的底层SiOx层的膜厚为0.2～2nm，折射率为1.48～1.8；所述的中间层SiOx层的膜厚为2～20nm，折射率为1.4～1.8。