[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。存储器栅极由第一存储器栅极和第二存储器栅极形成，该第一存储器栅极包括由第二绝缘膜和第一存储器栅极电极制成的第二栅极绝缘膜，该第二存储器栅极包括由第三绝缘膜和第二存储器栅极电极制成的第三栅极绝缘膜。此外，第二存储器栅极电极的下表面在水平高度上位于低于第一存储器栅极电极的下表面。结果，在擦除操作期间，电场集中在第一存储器栅极电极的定位更靠近选择栅极和半导体衬底的角部上，并且集中在第二存储器栅极电极的定位更靠近第一存储器栅极和半导体衬底的角部上。这使得易于将空穴注入到第二和第三绝缘膜中的每一个中。

主权项

一种包括非易失性存储器单元的半导体器件，其中所述非易失性存储器单元包括：第一栅极绝缘膜，形成在半导体衬底之上；选择栅极电极，形成在所述第一栅极绝缘膜之上；第二栅极绝缘膜，形成为在所述选择栅极电极的一个侧表面以及所述半导体衬底之上延伸，并且具有内部的电荷存储部；第一存储器栅极电极，经由所述第二栅极绝缘膜，形成在所述选择栅极电极的所述一个侧表面以及所述半导体衬底之上；第三栅极绝缘膜，形成为在所述第一存储器栅极电极的一个侧表面以及所述半导体衬底之上延伸，并且具有内部的电荷存储部；第二存储器栅极电极，经由所述第三栅极绝缘膜，形成在所述半导体衬底和所述第一存储器栅极电极的所述一个侧表面之上；第一半导体区域，形成在所述半导体衬底的定位更靠近所述选择栅极电极的部分中；以及第二半导体区域，形成在所述半导体衬底的定位更靠近所述第二存储器栅极电极的部分中。