[发明专利]导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510124556.6 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN104733541B 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 操彬彬;林致远 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/45;H01L29/49;G02F1/1362
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 苏培华
地址: 230011 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供了一种导电结构及其制作方法、阵列基板、显示装置,该导电结构的制作方法包括在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜;在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案;对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀;对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理;采用剥离液剥离所述光刻胶图案。本发明实施方式提供的导电结构的制作方法,通过在采用湿法剥离工艺去除导电结构上的光刻胶前,对导电结构暴露出的侧壁进行氧化处理,使侧壁形成均一的金属氧化层,在进行湿法剥离时,能够有效改善铜金属薄膜与阻挡金属薄膜之间的界面分离现象。
搜索关键词: 导电 结构 及其 制作方法 阵列 显示装置
【主权项】:
一种导电结构的制作方法,其特征在于,包括:在基板上依次形成阻挡金属薄膜、与所述阻挡金属薄膜层叠设置的铜金属薄膜;在所述铜金属薄膜上形成预设的光刻胶图案;对所述阻挡金属薄膜以及所述铜金属薄膜进行刻蚀;对所述刻蚀后所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁进行氧化处理,以在所述阻挡金属薄膜中暴露出的侧壁以及所述铜金属薄膜中暴露出的侧壁分别生成对应的金属氧化物层,所述金属氧化物层可以防止所述铜金属薄膜与所述阻挡金属薄膜之间的界面分离现象;采用剥离液剥离所述光刻胶图案;所述阻挡金属薄膜的材料为Mo、MoNb或MoTi。
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