[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510125857.0 申请日: 2015-03-20
公开(公告)号: CN104934393B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 宫泽雅臣;田畑光晴;高桥卓也 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供一种半导体装置,能够通过简单的设计变更,在减小电极的电感的状态下,容易地变更电极的引出位置或者电极的连接点的位置。电极(4)包含延伸设置部分(4b),该延伸设置部分(4b)进行延伸设置,直至两端进入分别设置于壳体(5)的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁(5a1、5a2)处的第1以及第2凹部(5a3、5a4)中为止。延伸设置部分(4b)的两端进入的程度设定为,在通过将其两端向中心缩窄而将延伸设置部分(4b)的长度设为70%的情况下的两端的位置包含于,在将第1以及第2内壁(5a1、5a2)分别以10%向它们之间的中心缩窄的情况下的第1以及第2内壁的位置(5a1、5a2)之间。
搜索关键词: 延伸设置 电极 内壁 半导体装置 缩窄 电感 彼此相对 设计变更 引出位置 连接点 凹部 减小 壳体 变更
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:基板,其搭载有半导体元件;电极,其与所述半导体元件电连接;以及壳体,其覆盖所述电极的除了上部以外的剩余的部分、以及所述基板,所述电极的所述剩余的部分包含延伸设置部分,该延伸设置部分进行延伸设置,直至两端进入至分别设置于所述壳体的在横向上彼此相对的第1以及第2内壁处的第1以及第2凹部中为止,所述延伸设置部分的所述两端进入的程度设定为,在通过将所述延伸设置部分的所述两端向它们之间的中心缩窄而将所述两端之间的距离设为缩窄之前的所述两端之间的距离的70%的情况下的所述两端的位置包含于,在将所述第1以及第2内壁分别以所述第1以及第2内壁之间的距离的10%向它们之间的中心缩窄的情况下的所述第1以及第2内壁的位置之间。
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