[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模有效
申请号: | 201510126156.9 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN104932193B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 南基守;梁澈圭;姜亘远;申澈;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 | 申请(专利权)人: | 株式会社S&S技术 |
主分类号: | G03F1/48 | 分类号: | G03F1/48;G03F1/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 韩国大邱广*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模。所述空白掩模可以适用于在所述光掩模的制造之后通过在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失,以使得在光掩模的制造方法中在洗涤工艺和硬膜图案的去除工艺期间,当执行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除工艺时,可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失,由此确保厚度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 空白 使用 光掩模 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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