[发明专利]一种检测接触孔过度刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201510126618.7 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104716067B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测接触孔过度刻蚀的方法，包括根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构；排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 接触 过度 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种检测接触孔过度刻蚀的方法，其特征在于包括：根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构，其中所述特定比例为50％；排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测，与最小器件尺寸比较以确定过度刻蚀的工艺窗口范围。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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