[发明专利]风化基岩消落带陆生水长植树方法有效
| 申请号： | 201510128102.6 | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104798656B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 卢刚;徐高福;张建和;董飞岳;洪利兴 | 申请（专利权）人： | 浙江省林业科学研究院;淳安县新安江开发总公司;浙江元成园林集团股份有限公司 |
| 主分类号： | A01G23/00 | 分类号： | A01G23/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310023 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种风化基岩消落带陆生水长植树方法，为了解决由于季节性水位涨落，使库区周边被淹没土地呈现周期性出露的风化基岩区域进行永久性绿化植树的问题，其特征是根据水位涨落梯度，在陆地上培育相应规格控根容器大苗，完成陆生，然后在风化基岩消落带上挖定植穴直接种植，完成水长。在任何水位情况下都能使种植的耐水湿树种局部暴露于水面，保证大苗的光合、呼吸作用，防止树种根部土壤逐年被浪蚀淘空现象，稳定了树种的生长，丰富了物种多样性，对护坡固土具有强有力的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 风化 基岩 消落带 陆生 植树 方法 | ||
【主权项】：
一种风化基岩消落带陆生水长植树方法，其特征是根据水位涨落梯度，在陆地上培育相应规格控根容器大苗，完成陆生，然后在风化基岩消落带（2）上挖定植穴直接种植，完成水长；所述的相应规格控根容器大苗，其规格大小由风化基岩消落带（2）的斜度确定，也就是控根容器大苗种植后的高度大于水位涨落梯度的水位高线（4）；控根容器大苗种植后的高度超出水位高线（4）1m及1m以上。
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