[发明专利]双向光控晶闸管芯片、光触发耦合器和固态继电器

摘要

本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中，1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部，该PNPN部包括在一个方向延伸的阳极扩散区域(43)；衬底；控制极扩散区域(44)；和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45)，阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。

主权项

一种双向光控晶闸管芯片，其特征在于：具备在1个半导体芯片的表面上相互分离地形成的第一光控晶闸管部和第二光控晶闸管部，所述各光控晶闸管部具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸并且具有N型和P型中的一种导电类型的阳极扩散区域；具有N型和P型中的另一种导电类型的衬底；与所述阳极扩散区域相对的具有所述一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内与所述阳极扩散区域相对地形成并且具有所述另一种导电类型的阴极扩散区域，所述阳极扩散区域和所述控制极扩散区域的相互相对的两个侧边、以及所述阴极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的侧边中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从所述阳极扩散区域向所述控制极扩散区域和所述阴极扩散区域供给的电流向作为所述阳极扩散区域的延伸方向的所述一个方向的中央部的集中缓和的形状，所述阴极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的第一侧边的平面形状，形成为使得在与所述一个方向正交的另一个方向上从所述控制极扩散区域的与所述阳极扩散区域相对的第二侧边至所述第一侧边的距离在所述一个方向的中央部成为最大的形状，所述阴极扩散区域在所述一个方向的中央部被分割为两部分，在相互相对的分割面设置有倾斜，使得该分割面的间隔根据在所述另一个方向上距所述控制极扩散区域的所述第二侧边的距离而变小。