[发明专利]EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201510131675.4 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104749887A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 坂本力丸;远藤贵文;何邦庆 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 用抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括下述工序：在具有待形成转印图案的加工对象膜的基板上涂布包含含有34.2～44.8质量％的溴原子或碘原子的环氧化甲酚酚醛清漆树脂的、在半导体器件的制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物，烘烤，从而形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的工序；在该EUV光刻用抗蚀剂下层膜上被覆EUV光刻用抗蚀剂，隔着掩模向该EUV光刻用抗蚀剂下层膜和该EUV光刻用抗蚀剂下层膜上的该EUV光刻用抗蚀剂膜照射EUV，将该EUV光刻用抗蚀剂膜显影，通过干蚀刻将形成于该掩模的图像转印在基板上，从而形成集成电路元件的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社;，未经日产化学工业株式会社;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510131675.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
