[发明专利]一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法在审
| 申请号： | 201510132730.1 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104762591A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘建设;郭松;王飞山;刘超超;孟为民;刘拾霞;曹河周 | 申请（专利权）人： | 河南黄河旋风股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及金刚石表面处理技术领域，名称是一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，它包括以下步骤：a、首先将金刚石置于真空离子镀膜机的镀膜室中，将镀膜室抽真空至2×10-3Pa，用5KV离子源对金刚石清洁处理30分钟；b、用硅片作为真空离子镀膜机阴极靶材，调节真空离子镀膜机的参数为：电压是350—450V；直流电流是1.0A-1.2A；偏转电压是100—200V；高纯氩气流量是10—14毫升／秒；温度是280—320℃；并使金刚石处于移动翻转移动的状态，可以生产出镀硅膜的金刚石，并具有工艺简单的优点，生产出的镀硅膜金刚石还具有坚实性较强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 表面 真空 离子镀 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石表面真空离子镀硅膜的制作方法，它在金刚石真空镀膜机中进行，它包括以下步骤：a、首先将金刚石置于真空离子镀膜机的镀膜室中，将镀膜室抽真空至2×10‑3Pa，用5KV离子源对金刚石清洁处理30分钟；b、用硅片作为真空离子镀膜机阴极靶材，调节真空离子镀膜机的参数为：电压： 350—450V；直流电流： 1.0A ‑ 1.2A；偏转电压： 100—200V；工作时间： 10800秒—12000秒；高纯氩气流量：10—14毫升／秒；温度： 温度280—320°C；并使金刚石处于移动翻转移动的状态，金刚石粉体为阳极。
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