[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及气体分配组件在审
| 申请号： | 201510133596.7 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158568A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法及气体分配组件。衬底处理装置包括被构造成将衬底载置于其上的衬托器、被构造成将处理气体从衬托器的上方侧供给至衬底的表面的处理气体分配组件、以及与处理气体分配组件相邻地布置的被构造成将惰性气体从衬托器的上方侧供给至衬底的表面的惰性气体分配组件。衬底处理装置进一步包括气体排出系统，气体排出系统具有限定在处理气体分配组件与惰性气体分配组件之间的气体排出孔，具有用于保持通过了气体排出孔的气体的排出缓冲部。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 气体 分配 组件 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，包括：衬托器，其被构造成将衬底载置于其上；处理气体分配组件，其包括用于将处理气体从所述衬托器的上方侧供给至所述衬底的矩形通孔，所述通孔的在长度方向上的长度长于或等于所述衬底的直径，所述处理气体分配组件包括从所述通孔向外延伸的突出部；惰性气体分配组件，其与所述处理气体分配组件相邻地布置，惰性气体分配组件包括用于将惰性气体从所述衬托器的上方侧供给至所述衬底的矩形通孔，所述通孔的在长度方向上的长度长于或等于所述衬底的所述直径，所述惰性气体分配组件包括从所述通孔向外延伸的突出部；以及气体排出系统，其包括在所述处理气体分配组件与所述惰性气体分配组件之间限定的气体排出孔，所述气体排出系统包括部分地由所述突出部的上壁和彼此相邻的所述气体分配组件的侧壁限定的排出缓冲部，其中所述气体排出系统被构造成使处于被夹在所述突出部的底表面与所述衬托器的相应区域之间的领域中的气体经由所述气体排出孔通过所述排出缓冲部排出。
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