[发明专利]可控温加热式传送腔及其工艺装置和控温加热方法在审
| 申请号： | 201510133648.0 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104716077A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 邵克坚;刘东升;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种可控温加热式传送腔，包括：第一传送手臂，设置在所述可控温加热式传送腔内，并用于将晶圆从所述可控温加热式传送腔内传送至所述工艺反应腔室内；控温加热装置，进一步包括：加热装置，设置在所述可控温加热式传送腔之内壁，且与外界电源电连接；控温装置，与所述加热装置电连接，并用于控制所述加热装置之加热温度；具有过温断路器和高温熔断器的输电线路，设置在所述加热装置、所述控温装置，以及所述外界电源之间。通过本发明可控温加热式传送腔和气闸不仅可实现晶圆在工艺反应腔室和外界大气压腔室之间的进入或退出时温度渐变，利于残留气体抽排，避免结晶缺陷，而且减少翘曲、跳片和破碎，进而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 加热 传送 及其 工艺 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种可控温加热式传送腔，其特征在于，所述可控温加热式传送腔，包括：第一传送手臂，设置在所述可控温加热式传送腔内，并用于将晶圆从所述可控温加热式传送腔内传送至所述工艺反应腔室内；控温加热装置，进一步包括：加热装置，设置在所述可控温加热式传送腔之内壁，且与外界电源电连接；控温装置，与所述加热装置电连接，并用于控制所述加热装置之加热温度；具有过温断路器和高温熔断器的输电线路，设置在所述加热装置、所述控温装置，以及所述外界电源之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
