[发明专利]一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头在审
| 申请号： | 201510133721.4 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104785389A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 于棚;刘忆军 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | B05B1/14 | 分类号： | B05B1/14;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃;霍光旭 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头，主要解决现有技术均匀性不够好、气体利用率较低的技术问题。其结构是：喷淋头与载物台处于反应腔室中的相对位置，喷淋头与载物台形成相对面，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给。上述喷淋头的喷淋开孔区域设置有多个通孔，其开孔区域的面积小于载物台所载物的面积。上述喷淋头与载物台形成相对电极，对所述喷淋头与载物台间施加电压形成等离子体，可对载物台及所载物进行等离子体处理。通过控制喷淋头所设置通孔的面积可实现半导体等离子体处理工艺制程的均匀处理。本发明能够简单有效地提高气体的利用率，并改善等离子体处理的均匀性。可广泛应用于半导体制造技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 等离子体 处理 均匀 喷淋 | ||
【主权项】：
一种可改善半导体等离子体处理均匀性的喷淋头，喷淋头与载物台形成相对面，设置于反应腔室中，从喷淋头以喷淋状向载物台进行气体供给，其特征在于：所述喷淋头的喷淋开孔区域设置有多个通孔，用于气体的喷淋状供给；进一步地，喷淋头设置的开孔区域的面积小于载物台所载物的面积；进一步地，喷淋头与载物台形成相对电极；进一步地，对所述喷淋头与载物台间施加电压形成等离子体，可对载物台及所载物进行等离子体处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳拓荆科技有限公司，未经沈阳拓荆科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510133721.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
