[发明专利]一种适于RFID的开关电路在审
申请号: | 201510133902.7 | 申请日: | 2015-03-25 |
公开(公告)号: | CN104796126A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 吴劲;李仕仁;曾圣勇;黄海娜;陈天维 | 申请(专利权)人: | 佛山酷微微电子有限公司;广东中泽自动识别技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/04 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 528000 广东省佛山市南海区桂城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种适于RFID的开关电路,包括:P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、电容Cs、N型MOS管N1、N型MOS管N2、N型MOS管N3、N型MOS管N4、N型MOS管N5,N型MOS管N6,N型MOS管N7,其中:P1和N1的栅极接收控制信号Clks的输入,N2和N7的栅极接收控制信号Clksb的输入;N5栅极连接着N4、N3、N6、P2、P3,N5源级漏级的一端连接着N4,由N5的源级漏级形成一个自举开关。本发明实施例的开关通过提高栅压来减小开关的导通电阻,从而减小时间延迟,提高转换速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 适于 rfid 开关电路 | ||
【主权项】:
一种适于RFID的开关电路,其特征在于,包括:P型MOS管P1、P型MOS管P2、P型MOS管P3、电容Cs、N型MOS管N1、N型MOS管N2、N型MOS管N3、N型MOS管N4、N型MOS管N5,N型MOS管N6,N型MOS管N7,其中:P1和N1的栅极接收控制信号Clks的输入,N2和N7的栅极接收控制信号Clksb的输入;P1源级漏级的一端连接着P2、N6,P1源级漏级的另一端连接着N1、P3、N3;P2栅极连接着P3、N6、N3,P2源级漏级的一端连接着P1、N6,P2源级漏级的另一端连接着电容Cs、P3;P3栅极连接着N3、N1、P1,P3源级漏级的一端连接着P2、N6、N3,P3源级漏级的另一端连接着电容Cs、P2;N1源级漏级的一端连接着P1、P3、N3,N1源级漏级的另一端连接着电容Cs、N2、N3、N4;N2源级漏级的一端接地,N2源级漏级的另一端连接着N1、Cs、N3、N4;N3栅极连接着N4、N5、N6、P3,N3源级漏级的一端连接着N2、Cs、N4、N1,N3源级漏级的另一端连接着N1、P3、P1;N4的栅极连接着N5、N3、N6、P2、P3,N4源级漏级的一端连接着N3、N2、Cs、N1,N4源级漏级的另一端连接着N5;N6栅极连接着P1、P2,N6源级漏级的一端连接着N5、N3、P2、P3、N4,N6源级漏级的另一端连接着N7;N7源级漏级的一端接地,N7源级漏级的另一端连接着N6;N5栅极连接着N4、N3、N6、P2、P3,N5源级漏级的一端连接着N4,由N5的源级漏级形成一个自举开关。
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