[发明专利]钨膜的成膜方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510133979.4 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104947064B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 堀田隼史;饗场康;前川浩治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/14 | 分类号： | C23C16/14;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够不形成核生成用的初始钨膜而以一个阶段成膜钨膜的钨膜的成膜方法。对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种钨膜的成膜方法，其特征在于：对被处理基板在减压气氛气下同时或交替供给作为钨原料的氯化钨气体和还原气体，一边对被处理基板进行加热一边使氯化钨气体和还原气体反应，在被处理基板的表面，不成膜核生成用的初始钨膜而直接成膜主钨膜，所述处理容器内的压力为10Torr以上30Torr以下，所述还原气体仅为H2气体时，所述被处理基板的温度为400℃以上550℃以下，或者所述还原气体为在H2气体中添加有NH3气体时，所述被处理基板的温度为250℃以上550℃以下。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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