[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201510134425.6 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104716199A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张首龙;孙泉钦;王丹名;周唐臣;李利芳;张旗 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。所述薄膜晶体管包括有源层(3)、掺杂层(2)和源/漏电极层(1)，掺杂层(2)位于有源层(3)与源/漏电极层(1)之间，掺杂层(2)至少包括两层子掺杂层，靠近源/漏电极层(1)的源/漏电极子掺杂层(4)的掺杂物的掺杂浓度大于靠近有源层(3)的有源子掺杂层(5)的掺杂物的掺杂浓度，有源子掺杂层(5)的掺杂物的掺杂浓度大于0。本发明解决了现有技术中不能同时降低掺杂层与源/漏电极层之间的接触电阻和掺杂层与有源层之间的接触电阻的技术问题，可应用于显示技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括有源层、掺杂层和源/漏电极层，所述掺杂层位于所述有源层与所述源/漏电极层之间，其特征在于，所述掺杂层至少包括两层子掺杂层，靠近所述源/漏电极层的源/漏电极子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于靠近所述有源层的有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度，所述有源子掺杂层的掺杂物的掺杂浓度大于0。
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