[发明专利]基准电压电路

摘要

本发明公开一种基准电压电路，其包括启动电路、正温度系数基准电路和偏置电压电路；其中偏置电压电路包括PMOS管MP3、电阻R2和负温度器件，该负温度器件为具有负温度系数的MOS管；PMOS管MP3的漏极依次串联负温度器件和电阻后接地，其中，负温度器件采用PMOS管或者NMOS管实现；正温度系数基准电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN3、NMOS管MN4和电阻R1，偏置电压电路包括PMOS管MP3、PMOS管MP4、电阻R2和电容C2。本发明的技术方案采用了正温度系数基准电路和负温度系数的器件，产生的基准电压就具有温度补偿作用，最终产生的基准电压随温度变化的影响就比较小。这保证了整个电路在高低温工作时的稳定性，提高了电路的整体性能。

主权项

一种基准电压电路，其特征在于：包括启动电路、正温度系数基准电路和偏置电压电路；其中偏置电压电路包括PMOS管MP3、电阻R2和负温度器件，该负温度器件为具有负温度系数的MOS管；PMOS管MP3的漏极依次串联负温度器件和电阻R2后接地；所述负温度器件由PMOS管MP4实现，PMOS管MP4的源级连接至PMOS管MP3的漏极，PMOS管MP4的栅极和漏极相连，并串联电阻R2后接地；所述正温度系数基准电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN3、NMOS管MN4和电阻R1；PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极以及NMOS管MN4的源级相连，PMOS管MP1的源级、PMOS管MP2的源级以及PMOS管MP3的源级连接至VDD，PMOS管MP1的漏极连接NMOS管MN3的漏极、NMOS管MN3的栅极以及NMOS管MN4的栅极；NMOS管MN3的源级接地；NMOS管MN4的漏极串联电阻R1后接地。