[发明专利]使能对传感器测量误差的微调和自补偿的基于ISFET传感器的磁激励有效
| 申请号： | 201510136135.5 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104950030B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | D.霍尔克黑默 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;胡莉莉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及使能对传感器测量误差的微调和自补偿的基于ISFET传感器的磁激励。一种离子传感器装置包括被配置成暴露于液体的至少一个离子敏感场效应晶体管（ISFET）设备；被配置成接触所述ISFET设备所暴露于的所述液体的参考电极；以及被配置成将所述ISFET设备间歇地暴露于磁场的至少一个磁体。处理器操作地连接到所述ISFET设备和所述参考电极。所述处理器调制所述磁场以产生所述ISFET设备的电阻中的对应已调制输出和所述离子传感器装置的所报告的输出值的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 测量误差 微调 补偿 基于 isfet 激励 | ||
【主权项】：
1.一种离子传感器装置，包括：至少一个离子敏感场效应晶体管ISFET设备，其被配置成暴露于液体；参考电极，其被配置成接触所述ISFET设备所暴露于的所述液体；至少一个磁体，其被配置成将所述ISFET设备间歇地暴露于磁场；以及处理器，其操作地连接到所述ISFET设备和所述参考电极；其中所述处理器调制所述磁场以产生所述ISFET设备的电阻中的对应已调制输出和所述离子传感器装置的所报告的输出值的调制。
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