[发明专利]基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法在审

专利信息
申请号: 201510137481.5 申请日: 2015-03-26
公开(公告)号: CN104715119A 公开(公告)日: 2015-06-17
发明(设计)人: 王梦;方菲;王楠;王兆峰;郭晋芳;昝晶晶;范须露;孔德来 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网天津市电力公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;H01F41/00
代理公司: 天津才智专利商标代理有限公司 12108 代理人: 庞学欣
地址: 300010*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法。其包括绘制磁阀式可控电抗器铁芯尺寸图;建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型;分析磁阀式可控电抗器各部位的损耗分布;绘制磁阀式可控电抗器内部磁力线分布图;优化磁阀设计;检验优化结果等步骤。本发明提供的基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法的效果:本发明主要研究铁耗的形成机理,绘制出各部位的损耗分布,根据研究结果,针对磁阀结构饱和时产生的边缘效应,对矩形磁阀结构进行了优化设计,结果表明优化后的结构在磁阀饱和时漏磁明显减少,从而使电抗器性能得到提高。
搜索关键词: 基于 magnet 有限元 磁阀式 可控 电抗 结构 优化 方法
【主权项】:
一种基于MagNet有限元的磁阀式可控电抗器结构优化方法,其特征在于:其包括按顺序执行的下列步骤:步骤一、绘制磁阀式可控电抗器铁芯尺寸图:以mm为单位,绘制磁阀式可控电抗器铁芯的结构平面图;步骤二、建立磁阀式可控电抗器中矩形磁阀结构模型:确定矩形磁阀的面积和高度,并在MagNet中建立模型;步骤三、分析磁阀式可控电抗器各部位的损耗分布,由此得出损耗分布情况,矩形磁阀处的铁芯损耗较大,损耗主要集中在内柱和边柱上,连接轭的损耗很小;步骤四、绘制磁阀式可控电抗器内部磁力线分布图,分析涡流损耗情况;步骤五、优化磁阀设计:针对矩形磁阀结构饱和时产生的边缘效应,对矩形磁阀结构进行优化设计;步骤六、检验优化结果:比较矩形结构和优化后磁阀饱和的磁密分布和边缘漏磁场,检验优化效果。
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