[发明专利]一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510138166.4 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104867905B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 方孺牛;缪旻;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L23/552;H01L23/62;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底，信号通孔和地通孔，其中衬底为P型背景掺杂；所述通孔是由多晶硅填充的通孔；所述信号通孔为N型掺杂；所述地通孔为P型掺杂。本方法为1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)在衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉干膜；4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅。对于高速/高频系统，采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整，即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单，成本低，效果好的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 硅通孔 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含硅通孔的半导体结构，包括衬底，信号通孔、电源通孔和地通孔，其特征在于，所述信号通孔、电源通孔均为由N型掺杂的多晶硅填充的通孔，并且与所述衬底之间没有绝缘层；所述地通孔为由P型掺杂的多晶硅填充的通孔，并且与所述衬底之间没有绝缘层；所述衬底为P型掺杂。
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