[发明专利]柔性装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201510138382.9 | 申请日： | 2015-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104716081B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘陆;谢明哲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柔性装置及其制作方法，该方法包括在刚性基底上形成牺牲层；在所述牺牲层之上形成反射层；在所述反射层的上方制作柔性显示器件；使用激光照射所述牺牲层，将刚性基底剥离。本发明中，由于在牺牲层上方还形成有反射层，能够在进行剥离时，将照射的激光反射回牺牲层，这样就增加了牺牲层所吸收的激光的能量。从而能够降低剥离过程中所需要使用的激光的能量。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种柔性装置的制作方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上形成牺牲层；在至少一部分所述牺牲层之上形成反射层，其中，所述反射层将照射的激光反射回牺牲层；在所述牺牲层和所述反射层的上方制作柔性基底层；使用激光照射所述牺牲层，将玻璃基板剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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