[发明专利]一种半导体器件瞬态电容的测试方法和系统在审

专利信息
申请号: 201510139962.X 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN104730344A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 吴京锦;赵策洲;刘晨光 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体器件瞬态电容的测试系统,包括信号发生模块、信号放大模块、信号录制模块和计算机;所述信号发生模块用于发出周期大于20us,幅值为100-300mv,电压变化率小于33333V/S的脉冲电压信号;所述信号放大模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号;所述信号录制模块用于录制信号放大模块输出的电压信号,绘制电压曲线,通过电压曲线计算瞬态电容;所述计算机安装有电子仪器控制环境,用于控制和处理数据。通过实验室普遍拥有的仪器实现半导体器件的高精度瞬态电容谱测量及绘制系统,并通过程序自动控制的方法,控制测试系统自动得到测量数据,提高瞬态电容的测试极限。
搜索关键词: 一种 半导体器件 瞬态 电容 测试 方法 系统
【主权项】:
一种半导体器件瞬态电容的测试系统,其特征在于,包括信号发生模块、信号放大模块、信号录制模块和计算机;所述信号发生模块用于发出周期大于20us,幅值为100‑300mv,电压变化率小于33333V/S的脉冲电压信号;所述信号放大模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号;所述信号录制模块用于录制信号放大模块输出的电压信号,绘制电压曲线,通过电压曲线计算瞬态电容;所述计算机安装有电子仪器控制环境,用于控制和处理数据。
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