[发明专利]一种非晶硅太阳电池玻璃基底的激光钻孔方法有效

专利信息
申请号: 201510140907.2 申请日: 2015-03-28
公开(公告)号: CN104722932A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 王振华;谢建;郑付成;邹建军;黄东海;黄秋香;张峻诚;高云峰 申请(专利权)人: 大族激光科技产业集团股份有限公司
主分类号: B23K26/382 分类号: B23K26/382;B23K26/402
代理公司: 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 代理人: 陈琳
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明适用于非晶硅太阳电池钻孔领域,提供一种非晶硅太阳电池玻璃基底的激光钻孔方法,将镀有膜层的玻璃基底的膜面朝上放置,然后从待钻通孔的边缘向内清除一个圆环内的膜层,然后在清除膜层的圆环内,激光从玻璃基底的下表面向上进行分层钻孔。本发明实施例将非晶硅太阳电池玻璃基底的有膜层的一面放置在加工线上,通过激光清除一个圆环内的膜层,然后采用分层方式,按照内摆线的轨迹进行钻孔,降低了设备的成本,保证了非晶硅太阳电池的流水线加工,同时避免了膜层的膜面污染。
搜索关键词: 一种 非晶硅 太阳电池 玻璃 基底 激光 钻孔 方法
【主权项】:
一种非晶硅太阳电池玻璃基底的激光钻孔方法,其特征在于,将镀有膜层的玻璃基底的膜面朝上放置,然后从待钻通孔的边缘向内清除一个圆环内的膜层,然后在清除膜层的圆环内,激光从玻璃基底的下表面向上进行分层钻孔。
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