[发明专利]基于DICE结构的静态随机访问存储器的存储单元有效
申请号: | 201510142476.3 | 申请日: | 2015-03-27 |
公开(公告)号: | CN104700889B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 刘丽;王静秋;陈亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院自动化研究所 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙)11482 | 代理人: | 宋宝库 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种基于DICE结构的静态随机访问存储器的存储单元,包括冗余信息锁存电路和冗余位选择电路,冗余信息锁存电路由4个MOS管构成,包括4个数据存储点;冗余位选择电路也由4个MOS管构成,MOS管M0、M1、M2、M3漏极分别连接在4个数据存储点X0、X1、X2、X3上;其中M0、M2的源极连接在一起,接至位线BL;M1、M3的源极连接在一起,接至位线BLB;4个MOS管的栅极连接在一起,连接到字线WL。本发明在不增加明显复杂性,仅增加少量的面积即可保证存储单元受到粒子轰击时不发生状态翻转,保证数据正确。 | ||
搜索关键词: | 基于 dice 结构 静态 随机 访问 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】:
基于DICE结构的静态随机访问存储器的存储单元,其特征在于,冗余信息锁存电路和冗余位选择电路;冗余信息锁存电路由4个MOS管M4、M5、M6、M7构成,M4的漏极与M7的栅极相连,M5的漏极与M4的栅极相连,M6的漏极与M5的栅极相连,M7的漏极与M6的栅极相连;M4、M5、M6、M7的漏极分别连接数据存储点X0、X1、X2、X3;冗余位选择电路由4个MOS管M0、M1、M2、M3构成,所述MOS管M0、M1、M2、M3漏极分别连接在4个数据存储点X0、X1、X2、X3上;其中,M0、M2的源极连接在一起,接至位线BL;M1、M3的源极连接在一起,接至位线BLB;4个MOS管M0、M1、M2、M3的栅极连接在一起,连接到字线WL。
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