[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510142874.5 | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN104867982B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层，所述绝缘层包含氧和硅；以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第一区域，其中，所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的具有缺陷的绝缘层，其中所述具有缺陷的绝缘层包含氧和硅，并且所述具有缺陷的绝缘层具有作为缺陷的氧悬挂键；以及所述氧化物半导体层和所述具有缺陷的绝缘层之间的第一区域，其中，所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。
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